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GCZHPT-B 光电技术综合开发实验平台

【产品简介】

GCZHPT-B型光电技术综合开发实验平台由光学导轨、光学元件、电学元件、光电传感器组件、各种不同应用的电路模块以及仪器仪表等部分构成。

1)该平台除了可以完成平台自有的众多实验项目外,学生还可依托平台的各种模块自行设计搭建各种实验

2)平台的模块丰富,拓展空间巨大,可作为相关专业的课程设计与毕业设计平台

3)有利于学生深入理解基础理论,全面掌握综合技能,使所学知识得到系统锻炼

4)有利于开发开放性的实验教学内容,加强实践研究与应用开发工作的进展

5)有利于培养学生独立思考与创新思维,提高科研工程能力

【知识点】

半导体光源、光敏电阻、光电二极管、光电三极管、硅光电池、光电倍增管、热敏电阻、热释电传感器、光电耦合器、PSD传感器、四象限光电传感器、线阵CCD、面阵CCD、LED特性、单片机、光纤几何参数

【涉及课程】

电路原理、模拟电子技术、数字电子技术、光电子技术、光谱学、光电检测技术、发光学、光电器件技术、单片机、CCD应用技术、图像处理与显示技术

产品参数

1.数字电压表:精度:四位半;量程:0~2V;0~20V,0~200V;

2.数字电流表:精度:四位半;量程:0~0.2mA,0~20mA,0~200mA;

3.数字照度计:

自动更换量程;测量范围 0.1~1.999×103lx;

4.镜头:焦距 50mm;

5.CPLD:延迟时间 10.0ns;电压3V~3.6V;

6.光敏电阻:亮电阻:10~20KΩ;

7.硅光电池:光敏面积:10×10mm,峰值波长:800nm,开路电压(100Lx):300mV,短路电流(100Lx):10uA

8.红外发射二极管:正向压降:1.4V,额定电流I:10μA,发射波长:940nm

9.光电二极管:峰值波长(λp):880nm;

10.光电三极管:峰值波长(λp):880nm;

11.热释电传感器:灵敏元面积:2.0×1.0mm2,工作波长:7-14μm;12、一维PSD:光敏区1mm*8mm;光谱响应范围300-1100nm;PSD调整架位移范围13mm;位移精度0.01mm;

13.光源:包含白、红、绿、蓝四色光源;

14.线阵CCD:像敏单元数目:2160 像元,像敏单元大小:14 µm×14 µm(相邻像元中心距为14 µm)

15.示波器:带宽100M,通道4,实时采样率1GSa/s,记录长度10M/ch,显示屏7.5吋,波形更新率50,000wfms/s

16.光谱测试模块:波长范围包含350-1000nm,光学分辨率1.0 nm;

17.偏振相机系统:传感器:尺寸2/3英寸, 507万有效像素,彩色偏光CMOS图像传感器,搭载4向偏光元件On-Chip化的全局快门功能;配备必要的光学镜头、配套电路,每台配备独立笔记本电脑(处理器12代I5处理器,内存16G),可正常显示偏振图像。

18.红外热传感器阵列;IIC接口通信;像素32*24;视场角55°;测试温度:本地-40°~85°,远程-40°~300°,工作温度-40°~85°;

19.可实现红外热像仪各像素点温度显示功能,通过设计、搭建、编程、调试实验电路等步骤,实时显示红外热像仪传感器的每个像素点探测到的辐射物的温度;

20.电脑:处理器12代I5处理器/内存16G/硬盘256G SSD+1T磁盘,显示器20吋;

【实验内容】

1、光源光谱测量实验

2、光源辐射度测量实验

3、光敏电阻特性参数测试实验

4、光敏电阻变换电路测试实验

5、光电二极管特性参数测试实验

6、光电二极管变换电路测试实验、

7、光电三极管特性参数测试实验、

8、光电三极管变换电路测试实验、

9、硅光电池特性参数测试实验

10、硅光电池变换电路测试实验、

11、热释电器件实验

12、PSD位移传感器实验

13CCD实验